1、紫外芯片的波段

　　目前，世界上研究近紫外led的機構主要有日本的日亞Nichia，Toshiba公司和美國的Cree公司，臺灣的國立中興大學，韓國的Optowell公司及國內的北京大學等。

　　日本憑借其在藍光LED領域的先發(fā)優(yōu)勢，在UV-LED方面的進展舉世矚目。尤其是日亞公司，在365nmUV-LED的研究上遙遙領先；美國在深紫外的研究方面領先，但是近年已經被日本超越；中國臺灣和韓國起步相對較晚，但在該領域也取得了一些進展；國內在該領域近年來發(fā)展很快，但與海外相比差距還比較大。

　　紫外LED芯片主要是GaN類半導體，目前通過調節(jié)反應條件和反應工藝已可以實現(xiàn)深紫外（λ＜300nm）、紫外（300nm＜λ＜380nm）和近紫外（380nm＜λ）芯片的制備。具體的芯片波長包括：250±5nm，260±5nm，270±5nm，280±5nm，290±5nm，300±5nm，310±5nm，320±5nm，330±5nm，340±5nm，350±5nm，360±5nm，370±5nm，380±5nm，390±5nm，400±5nm，410±5nm，420±5nm等。

　　2、紫外芯片的廠商及其產品性能

　　對于紫外芯片，目前小于370nm的紫外LED的發(fā)射強度極低，尚沒有實用價值，現(xiàn)紫外LED芯片研制和生產領域都在努力提高370~42推薦：www.zhongyifengliao.com www.5060333.com www.bddanfengyan.com www.ruxianzhiliaowang.com
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0nm波段的芯片效率。

　　在紫外芯片廠商中，比較有代表性的是日本的日亞、美國的Cree和SemiLEDs等。其中日本日亞公司能提供的輻射能為22 mW，外量子效率為35.5%，波長為400 nm的紫外芯片，美國cree公司則可以提供的輻射能為21 mW的395nm～410 nm的紫外芯片。另外臺灣現(xiàn)在可以向市場提供4 mW左右的紫外芯片，臺灣紫外芯片的實驗室水平可以實現(xiàn)7～8 mW的水平。而國內的公司可以向市場提供2 mW左右的紫外芯片。下表為目前生產360nm以上波長紫外芯片有代表性的公司及其相應產品的性能。